Реальная физика туннельного эффекта в полупроводниках, на примере работы туннельного диода

Обсуждение вопросов связанных с научными и техническими проблемами физики
Ответить
Zinovy
Site Admin
Сообщения: 56
Зарегистрирован: 28 ноя 2010, 21:42
Откуда: г. Москва
Контактная информация:

Реальная физика туннельного эффекта в полупроводниках, на примере работы туннельного диода

Сообщение Zinovy » 24 июн 2020, 20:47

В основе физики возникновения т.н. туннельного эффекта в полупроводниках лежит высокая подвижность носителей достаточная для вторичной ионизации кристаллической решётки, что приводит к образованию объёмного электрического домена с малой результирующей напряжённостью электрического поля внутри домена и к соответственному снижению скорости носителей тока внутри домена.
Это и отражается в снижении тока диода в определённой области растущего напряжения приложенного к диоду.
Т.е. имеем ярко выраженное отрицательное сопротивление диода в рабочей области подведённого питающего напряжения.
Тоже самое происходит и в диоде Ганна.
Тот, кто не знает или не понимает определений физических понятий, тот не знает физики.
А тот, кто не знает физики, тот не знает и не понимает жизнь.
Природу изучать, не формулы тачать

Ответить